referat wygłosił: dr hab. Paweł Kwaśnicki, prof. PRz
W prezentacji przedstawiono współczesne możliwości spektroskopii rozproszeniowej, ze szczególnym uwzględnieniem spektroskopii Ramana, jako zaawansowanego narzędzia diagnostycznego w analizie materiałów półprzewodnikowych. Omówiono fizyczne podstawy zjawiska, wskazując, że informacja spektroskopowa wynika z modulacji polaryzowalności przez mody drgań sieciowych, co umożliwia bezpośrednie badanie struktury krystalicznej i lokalnego uporządkowania materiału. Istotnym elementem prezentacji jest pokazanie przejścia od klasycznej analizy jakościowej do nowoczesnej, ilościowej metrologii Ramanowskiej stosowanej w półprzewodnikach szerokoprzerwowych.
Szczególną uwagę poświęcono materiałom SiC, dla których spektroskopia Ramana umożliwia rozróżnianie politypów, ocenę jakości kryształu oraz identyfikację efektów związanych z domieszkowaniem. Za kluczowy aspekt nowości można uznać wykorzystanie sprzężonych modów fonon-plazmon LOPC do wyznaczania koncentracji swobodnych nośników oraz mobilności na podstawie położenia i kształtu pasm widmowych. Pokazano, że analiza LOPC pozwala traktować widmo Ramana nie tylko jako „odcisk palca” struktury, lecz także jako źródło parametrów elektronowych materiału. ważnym aspektem prezentacji było omówienie zjawiska interferencji Fano, istotnego w materiałach silnie domieszkowanych, gdzie klasyczna interpretacja pików fononowych staje się niewystarczająca. Włączenie modeli opisujących asymetrię pasm, poszerzenie oraz przesunięcia częstotliwości wskazuje na rosnącą rolę zaawansowanego modelowania widm w ilościowej analizie półprzewodników. Dodatkowo zaprezentowano możliwości mapowania przestrzennego rozkładu domieszek i naprężeń, co ma bezpośrednie znaczenie dla kontroli procesów technologicznych i oceny jednorodności wafli. Całość prowadzi do wniosku, że współczesna spektroskopia Ramanowska staje się wieloparametrową, nieniszczącą metodą charakteryzacji, integrującą informacje strukturalne, elektronowe i przestrzenne w jednym pomiarze.
